IRFH5210TRPBF
Aplicații
1.Rectificarea sincronă pe partea secundară
2.Invertoare pentru motoare DC
3.DC-DC aplicații de cărămidă
4.Boost Converters
Caracteristici
1. RDSon scăzut (≤ 14,9 mΩ la Vgs = 10 V)
2. Rezistență termică scăzută la PCB (≤ 1,2 °C/W)
3,100% Rg testat
4. Profil scăzut (≤ 0,9 mm)
5.Industry-Standard Pinout
6.Compatibil cu tehnicile existente de montare la suprafață
7. Conform RoHS, fără plumb, fără bromură și fără halogen
8.MSL1, Calificare Industrială
Beneficii
1. Pierderi de conducție mai mici
2. Permite o mai bună disipare termică
3. Fiabilitate crescută
4. Densitate de putere crescută
5. Compatibilitate cu mai mulți furnizori
6. Fabricare mai ușoară
7.Mai prietenos cu mediul
8. Fiabilitate crescută
Numărul piesei producătorului: IRFH9310TRPBF
Producător/MarcăInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Parte din descriere:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Stare fără plumb / Stare RoHS: fără plumb / Conform RoHS
Stare stoc: original nou, stoc disponibil 12000 buc.
Livrare din: Hong Kong
Mod de expediere: DHL/Fedex/TNT/UPS
Valoarea atributului pentru atributul produsului Selectați atributul
Numărul piesei IRFH9310TRPBF
Producător/Marcă International Rectifier (Infineon Technologies)
Cantitate stoc 12000 buc Stoc
Categoria Produse semiconductoare discrete > Tranzistoare - FET-uri, MOSFET-uri - Single
Descriere MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Stare fără plumb / Stare RoHS: fără plumb / Conform RoHS
Lățime - în interior -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensiune/curent - Ieșire 1 PQFN (5x6)
Toleranță 5250pF @ 15V
Tip de coadă Canal P
Unghi de treaptă MOSFET (oxid de metal)
Scădere a temperaturii Infineon Technologies
Tip SFP/XFP ±20V
Capacitate de la distanță HEXFET®
Pas - Montare la suprafață prin cablu
Alte denumiri Fără plumb / Conform RoHS
Alte denumiri 1
Oscilator tip 8-PowerVDFN
Numărul de DAC-uri 30V
Greutate specifică minimă a lichidului -
Orientare de împerechere 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Numărul piesei producătorului IRFH9310TRPBFDKR-ND
Lungime - Baril Digi-Reel®
Culoare lampă 4,5 V, 10 V
Tensiune laterală înaltă - Max (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funcție 58nC @ 4.5V
Putere bobină activă
Capacitate canal (CS(off), CD(off)) 3,1 W (Ta)
Tip cititor de carduri 2,4V @ 100µA
Caracteristici și Beneficii
Caracteristici Beneficii rezultate
RDSon scăzut (≤ 4,6 mΩ) Pierderi de conducție mai mici
Compatibilitate cu mai mulți furnizori de pachete PQFN standard din industrie
Conform RoHS, fără plumb, fără bromură și fără halogen. Este ecologic
rezultă în
Notă
Cantitatea formularului
IRFH9310TRPBF PQFN Bandă și bobină 5mm x 6mm 4000
Număr de piesă care poate fi comandată Tip pachet Pachet standard
VDS -30 V
RDS(activat) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tipic) 110 nC
RG (tipic) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Evaluări maxime absolute
Unități de parametri
Tensiune de scurgere la sursă VDS
Tensiune de la poartă la sursă VGS
ID @ TA = 25°C Curent de scurgere continuă, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Curent de scurgere continuă, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Curent de scurgere continuă, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Curent de scurgere continuă, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Curent de scurgere continuă, VGS @ -10V (pachet limitat)
Curent de drenaj pulsat IDM
PD @TA = 25°C putere disipată
PD @ TA = 70°C putere disipată
Factor de reducere liniară W/°C
Joncţiunea de operare TJ şi
Interval de temperatură de depozitare TSTG
Evaluare repetitivă;lățimea impulsului limitată de max.temperatura de joncțiune.
Pornire TJ = 25°C, L = 1,1 mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Lățimea impulsului ≤ 400µs;ciclu de lucru ≤ 2%.
Când este montat pe o placă pătrată de cupru de 1 inch.
Rθ este măsurat la TJ de aproximativ 90°C.
NUMAI pentru AJUTOR DE PROIECTARE, nu este supus testării producției.
